SiCハーフブリッジモジュール · XS004HB120N6
XS004HB120N6 SiC MOSFET ハーフブリッジモジュール
XS004HB120N6は、公称抵抗クラスが4 mΩの1200 V SiC MOSFETハーフブリッジモジュールです。モデルデータからドライバおよび冷却方式を選択してください。.
SiC MOSFETハーフブリッジ位相幾何学
1200V電圧クラス
4 mΩモデルのリスト「抵抗」について
ゲート駆動および放熱パッケージ選択
製品概要
SiCスイッチングでは、シリコンIGBTモジュールとは異なるゲート駆動およびレイアウト上の要件が生じます。パッケージ、寄生成分、および熱条件を確認してください。.
主な特長
- トポロジー：SiC MOSFETハーフブリッジ
- 電圧クラス：1200V
- 抵抗について：4 mΩモデルのリスト
- 選定：ゲート駆動および放熱パッケージ
取り扱いモデル／構成
サプライヤーが記載した製品ファミリー情報；注文可能なRITOKSの正確な構成を確認してください。.
| 参考モデル／シリーズ | 機能 | 設定 | ご注文に関する注意事項 |
|---|---|---|---|
| XS004HB120N6 | SiCハーフブリッジモジュール | SiC MOSFETハーフブリッジ | 正確な注文コードと評価を確認してください |
技術仕様
| 参照モデル／ファミリー | XS004HB120N6 |
|---|---|
| 位相幾何学 | SiC MOSFETハーフブリッジ |
| 電圧クラス | 1200V |
| 「抵抗」について | 4 mΩモデルのリスト |
| 選択 | ゲート駆動および放熱パッケージ |
| 正確な評価とテストレポート | 選択したモデルのドキュメントと照合して確認してください |
用途
適用例：選択したモデルと設置設計を確認してください。.
産業用電気アセンブリ
回路の設計および設置条件に合わせて選定してください。.
制御・配電システム
注文されたバリエーションをホスト機器と照合してください。.
OEM機器
機械的、電気的、および文書上の互換性を確認してください。.
選考の際に確認すべき情報
- XS004HB120N6 の正確な注文コードと構成
- 完全なデータシート、回路図、またはトポロジー図
- 定格および試験条件
- 外形寸法、取付および接続図
- サンプル、銘板、最小発注数量（MOQ）、リードタイム、およびOEM関連書類
よくある質問
正確な構成を選択するにはどうすればよいですか？
基準モデル、回路仕様、取り付け詳細、数量、および配送先をお知らせください。お見積りの前に、ご注文可能なバージョンおよび関連資料を確認させていただきます。.
記載されている家族向けプランは、1つのユニットで利用可能ですか？
必ずしもそうとは限りません。定格や機能は、選択した具体的なバージョンによって異なりますので、各モデルごとのデータシートをご確認ください。.
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お見積りのお申し込み
正確な型番、必要な定格、数量、および配送先をお知らせください。お見積り前に、在庫状況と必要書類について確認させていただきます。.
以下の情報を記載してください：XS004HB120N6の正確な注文コードおよび構成、完全なデータシート、回路図またはトポロジー図、動作定格および試験条件。.